全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在我国下线,这是一款综合性能最优的光电集成芯片。
这款芯片的研发成功,标志着我国在光电集成领域取得了重大突破。据了解,这款芯片采用了8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆,实现了单片集成光电收发功能。这种技术在全球范围内都处于领先地位,是我国自主研发的一项重要成果。薄膜铌酸锂在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域都有着广泛的应用前景。然而,由于铌酸锂材料脆性大,尺寸越大越难制作,因此业界对薄膜铌酸锂的研发主要集中在3寸、4寸以及6寸晶圆。而九峰山实验室成功研发出首款8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆,这是一款具有划时代意义的产品。它的研发成功不仅为我国光电集成领域的发展注入了新的动力,同时也为全球范围内的高端光芯片规模制造提供了新的可能。
这款芯片的成功研发,充分展示了我国在科技创新领域的实力和水平。为科研人员点赞!
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