国产光刻机突破套刻≤8nm，芯片制造迎来新里程碑！
近日，我国在光刻机领域取得了重大突破，国产DUV光刻机实现了套刻精度≤8nm的历史性飞跃。这一成就不仅彰显了我国半导体科技的强大实力，更是对国际技术垄断的有力回应。在工信部发布的首台套重大技术装备推广应用指导目录中，氟化氩光刻机以分辨率≤65nm、套刻≤8nm的卓越性能，引起了业界的广泛关注。这项技术的成功，是无数科研人员多年努力的结晶，他们在光源、光学系统和控制系统等多个领域不断探索，最终推动了国产光刻机技术的飞跃。这一突破不仅意味着我们在芯片制造技术上已经达到了国际领先水平，更为国内芯片制造企业带来了更强的竞争力，也为全球半导体市场注入了新的活力。
国产光刻机的崛起，是中国科技力量的一次集中展现。让我们为科研人员的辛勤付出点赞，期待国产光刻机在未来创造更多辉煌！
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